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12インチアルミニウム窒化物セラミック基板 GaN-on-QST
キーワード: 12インチアルミニウム窒化物セラミック基板 GaN-on-QST
説明
1.材料：窒化アルミニウム。
2.機能：断熱および放熱セラミック。
3.タイプ：セラミック。
4.色：グレー。
5. カスタマイズ可能：はい、特定の製品については図面をご提供ください。
製品の詳細：
12インチアルミニウム窒化物セラミック基板 GaN-on-QST
製品の説明：
GaN-on-QSTは、米国のQromis社が提供するもので、シリコン基板や種結晶として使用できます。2017年には、Kyma Technologiesと協力して、QST基板技術をベースとした初の自立型GaN基板（4インチ）を製造しました。2020年1月、Qromisはトヨタ自動車株式会社から投資を受けました。Qromisはこの技術を2社にライセンス供与しており、そのうちのWorld Advancedと信越化学工業の両社は、今年エピタキシーおよびデバイスファブリケーションのペースを加速しています。
Qromisの自己支持型GaN基板には3つの大きな利点があるため、非常に期待されています。
● GaNデバイスの歩留まり率は90％に達する可能性があります。
● 6インチおよび8インチの基板が発売され、2025年には12インチのGaN基板の生産を計画しています。
6インチおよび8インチの窒化アルミニウム（AlN）基板は、福建華清の定番製品です。現在、GaN-on-QST製品の下地基板として使用可能な12インチの窒化アルミニウム（AlN）セラミック基板を供給することが可能です。
当社の窒化アルミニウム基板（AlN）は、さまざまなサイズと厚さでご用意しております。豊富かつ最新の在庫により、迅速に部品を発送いたしますので、お客様はすぐにプロジェクトを開始できます。
私たちのサービス：
カスタマイズについてはお問い合わせください。また、熱伝導率が最大230W/mKの窒化アルミニウム（AlN）セラミックもご提供可能です。
仕様：
| 寸法（長さ×幅） | φ12インチ |
| 厚さ |
1.0mm |
| 熱伝導率 |
170W/m.K |
| 誘電率 |
8～9（MHz） |
| バルク密度 |
3.3 g/cm³ 3 |
| 表面粗さ |
両面でRa：0.03～0.6 μm |
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